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凸点银电极脉冲无氰电镀制造技术

  • 申请号: 申请公布号:
  • 申请日: 申请公布日: 2017-01-17
  • 申请(专利权)人:BI189591560 专利代理机构:
  • 分类号:

专利介绍

银具有优秀的导电性能,同时具有良好的装饰效果,在电子元器件工业和集成电路制造领域,银镀层常用于微引线、微触点等的加工,在产品制造过程中占有重要地位。例如,凸点银电极的制备是二极管、三极管、集成电路管芯和芯片制造的关键工艺之一。这种凸点银电极面积很小,基体是半导体硅,表面只有一薄层金或钛银合金(蒸发或溅射获得),电镀后的银电极高出周围表面30~50μm,并维持原有间距,表面光洁、平整、结合牢固、结构致密。传统的电镀银工艺无法满足其制造要求。本项目较好地解决了这一问题。相对于传统的氰化直流电镀工艺而言,不仅银层质量提高(晶粒更细、致密、结合力好),而且沉积速度提高,使工效提高2倍以上,并且排除了氰化物的污染。